سوئچنگ پاور سپلائیز میں آؤٹ پٹ کیپسیٹرز سے توانائی کا ذخیرہ
وولٹیج چارج ریلیشن شپ گراف پر، کپیسیٹینس کو ایک ترچھی لکیر کے طور پر دکھایا گیا ہے، اور گنجائش میں ذخیرہ شدہ توانائی لائن کے نیچے موجود رقبہ ہے۔ اگرچہ پاور MOSFET کی آؤٹ پٹ کیپیسیٹینس نان لائنر ہے اور ڈرین وولٹیج کے لحاظ سے مختلف ہوتی ہے، آؤٹ پٹ کیپیسیٹینس میں ذخیرہ شدہ توانائی اب بھی وہ خطہ ہے جو نان لائنر کیپیسیٹینس لائن کے نیچے موجود ہے۔ لہذا، اگر ہم ایک سیدھی لکیر تلاش کر سکتے ہیں جو تصویر میں دکھائے گئے مختلف آؤٹ پٹ کیپیسیٹینس وکر میں موجود رقبہ کے برابر رقبہ فراہم کرتی ہے۔ 1، لائن کی ڈھلوان بالکل مساوی آؤٹ پٹ کیپیسیٹینس ہے جو ذخیرہ شدہ توانائی کی اتنی ہی مقدار پیدا کرتی ہے۔
کچھ پرانی پلانر ٹیکنالوجی MOSFETs کے لیے، ڈیزائنر 25V کے عام طور پر متعین ڈرین سورس وولٹیج پر ڈیٹا شیٹ میں آؤٹ پٹ کیپیسیٹینس کی قدروں کی بنیاد پر کریو فٹ کا استعمال کرتے ہوئے مساوی آؤٹ پٹ کیپیسیٹینس تلاش کرنے کے قابل ہو سکتا ہے۔
اس طرح، توانائی کا ذخیرہ ایک سادہ انٹیگرل مساوات سے حاصل کیا جا سکتا ہے۔
آخر میں، موثر آؤٹ پٹ کیپیسیٹینس ہے۔
آؤٹ پٹ کیپیسیٹینس کی ناپی گئی قدر اور Eq سے اخذ کردہ فٹ شدہ وکر۔ (3)۔ یہ تصویر 2(a) میں پرانی ٹیکنالوجی MOSFET کے مقابلے میں اچھی طرح کام کرتا ہے۔ تاہم، MOSFETs کے لیے نئی ٹیکنالوجیز جیسے سپر جنکشن ٹیکنالوجی کا استعمال کرتے ہوئے، جہاں آؤٹ پٹ کیپیسیٹینس میں زیادہ غیر خطی خصوصیات ہوتی ہیں، ایک سادہ کفایتی وکر فٹ بعض اوقات کافی اچھا نہیں ہوتا ہے۔ شکل 2(b) ایک *نئی ٹکنالوجی MOSFET کی پیمائش شدہ آؤٹ پٹ کیپیسیٹینس اور مساوات (3) کا استعمال کرتے ہوئے فٹ شدہ وکر دکھاتا ہے۔ مساوی آؤٹ پٹ کیپیسیٹینس ویلیو کے لیے، ہائی وولٹیج والے علاقے میں دونوں کے درمیان فرق بہت بڑا فرق پیدا کرتا ہے، کیونکہ وولٹیج کو انٹیگرل مساوات میں گنجائش کے لیے ضرب دیا جاتا ہے۔ شکل 2(b) میں تخمینہ بہت زیادہ مساوی گنجائش کا نتیجہ ہوگا، جو کنورٹر کے ابتدائی ڈیزائن کو گمراہ کر سکتا ہے۔
تخمینہ شدہ آؤٹ پٹ کیپیسیٹینس، (a) پرانا MOSFET، (b) نیا MOSFET
اگر آؤٹ پٹ کیپیسیٹینس ویلیو ڈرین سورس وولٹیج کی بنیاد پر مختلف ہوتی ہے، تو آؤٹ پٹ کیپیسیٹینس میں ذخیرہ شدہ توانائی کو مساوات (4) کا استعمال کرتے ہوئے تلاش کیا جا سکتا ہے۔ اگرچہ کیپیسیٹینس وکر کو ڈیٹا شیٹ میں دکھایا گیا ہے، لیکن گراف** سے اہلیت کی قدر کو پڑھنا آسان نہیں ہے۔ لہذا، ڈرین سورس وولٹیج کی بنیاد پر، آؤٹ پٹ کیپیسیٹینس میں ذخیرہ شدہ توانائی *نئی پاور MOSFET ڈیٹا شیٹ میں گراف کے ذریعے دی گئی ہے۔ شکل 3 میں دکھائے گئے وکر کا استعمال کرتے ہوئے، مطلوبہ ڈائریکٹ کرنٹ (DC) بس وولٹیج پر مساوی آؤٹ پٹ کیپیسیٹینس مساوات (5) کا استعمال کرتے ہوئے حاصل کیا جا سکتا ہے۔
