ٹرانسمیشن الیکٹران مائکروسکوپ کی ریزولوشن پر اثرانداز ہونے والے عوامل کیا ہیں؟
A. واقعہ الیکٹران بیم اسپاٹ قطر: SEM کی حل کرنے کی طاقت کی حد۔ عام طور پر، ہاٹ کیتھوڈ الیکٹران گن کا کم از کم اسپاٹ قطر 6nm تک کم کیا جا سکتا ہے، اور فیلڈ ایمیشن الیکٹران گن اسپاٹ کا قطر 3nm سے کم کر سکتی ہے۔
B. نمونے میں واقعہ الیکٹران بیم کا توسیعی اثر: بازی کی ڈگری واقعہ بیم الیکٹران کی توانائی اور نمونے کے جوہری نمبر پر منحصر ہے۔ واقعے کی شہتیر کی توانائی جتنی زیادہ ہوگی اور نمونے کا ایٹم نمبر جتنا کم ہوگا، الیکٹران بیم کا حجم اتنا ہی زیادہ ہوگا، الیکٹران بیم کے پھیلاؤ سے پیدا ہونے والے سگنل کا رقبہ اتنا ہی زیادہ ہوگا، اس طرح ریزولوشن کم ہوجاتا ہے۔
C. امیجنگ کا طریقہ اور ماڈیولیشن سگنل استعمال کیا جاتا ہے: جب سیکنڈری الیکٹران ماڈیولیشن سگنل، اس کی کم توانائی (50 eV سے کم) کی وجہ سے، اوسط فری رینج کم ہوتی ہے (10 ~ 100 nm یا اس سے زیادہ)، صرف سطح کی تہہ میں ثانوی الیکٹرانوں کی 50 ~ 100 nm کی گہرائی کی حد نمونے کی سطح سے بچ سکتی ہے، بکھرنے کی تعداد بہت محدود ہے، بنیادی طور پر بعد میں نہیں پھیلی، اس لیے ثانوی الیکٹران امیج کی ریزولوشن بیم کے تقریباً برابر ہے۔ جگہ قطر. جب بیک بکھرے ہوئے الیکٹران کو ماڈیولیشن سگنل کے طور پر استعمال کیا جاتا ہے، تو بیک بکھرے ہوئے الیکٹران اپنی اعلی توانائی اور گھسنے کی صلاحیت کی وجہ سے نمونے کے گہرے علاقے (مؤثر گہرائی کا تقریباً 30%) سے بچ سکتے ہیں۔ اس گہرائی کی حد میں، واقعہ الیکٹران کافی وسیع پس منظر میں پھیلے ہوئے ہیں، اس لیے بیک بکھرے ہوئے الیکٹران امیج ریزولوشن سیکنڈری الیکٹران امیج سے کم ہے، عام طور پر 500 ~ 2000nm یا اس سے زیادہ۔ اگر الیکٹران، ایکس رے، کیتھوڈولومینیسینس، بیم سینسنگ کنڈکٹنس یا آپریشن کے دیگر طریقوں کے ماڈیولیشن سگنل کے طور پر پوٹینشل کا جذب، پورے الیکٹران بیم بکھرنے والے علاقے سے سگنل کی وجہ سے، ریزولوشن کی اسکیننگ امیج نسبتاً کم ہے، عام طور پر l میں،000 nm یا l,000 nm یا اس سے زیادہ مختلف ہوتے ہیں۔
