ناکامی کے تجزیہ میں سکیننگ الیکٹران مائیکروسکوپی (SEM) کا اطلاق
اسکیننگ الیکٹران مائکروسکوپ کا مخفف اسکیننگ الیکٹران مائکروسکوپ ہے، اور انگریزی مخفف SEM ہے۔ یہ نمونے کی سطح پر بمباری کرنے کے لیے ایک باریک مرکوز الیکٹران بیم کا استعمال کرتا ہے، اور الیکٹران اور نمونے کے درمیان تعامل سے پیدا ہونے والے ثانوی الیکٹرانوں اور بیک سکیٹرڈ الیکٹرانوں کے ذریعے نمونے کی سطح یا فریکچر مورفولوجی کا مشاہدہ اور تجزیہ کرتا ہے۔
ناکامی کے تجزیے میں، SEM کے پاس ایپلیکیشن کے منظرناموں کی ایک وسیع رینج ہے، اور یہ ناکامی کے تجزیہ کے موڈ کا تعین کرنے اور ناکامی کی وجہ تلاش کرنے میں ایک اہم کردار ادا کرتا ہے۔
کام کرنے کے اصول
اسکیننگ الیکٹران مائکروسکوپ کے فوکس کی گہرائی ٹرانسمیشن الیکٹران مائکروسکوپ سے 10 گنا زیادہ اور آپٹیکل مائکروسکوپ سے سینکڑوں گنا زیادہ ہے۔ تصویر کے فیلڈ کی بڑی گہرائی کی وجہ سے، اسکین شدہ الیکٹرانک تصویر تین جہتی سے بھری ہوئی ہے اور اس کی شکل تین جہتی ہے۔ دیگر خوردبینوں سے زیادہ معلومات فراہم کرتا ہے۔
الیکٹرانک سگنل
ثانوی الیکٹرانز (SEI) ایکسٹرا نیوکلیئر الیکٹرانز کا حوالہ دیتے ہیں جو واقعہ الیکٹرانوں کے ذریعہ بمباری کرتے ہیں۔ یہ بنیادی طور پر سطح سے 10nm سے بھی کم کے اتھلے علاقے سے آتا ہے، جو نمونے کی سطح کی خوردبینی ٹپوگرافی کو مؤثر طریقے سے ظاہر کر سکتا ہے، اور اس کا جوہری نمبر کے ساتھ بہت کم تعلق ہے، اور عام طور پر نمونے کی سطح کی ٹپوگرافی کی خصوصیت کے لیے استعمال ہوتا ہے۔
بیکسکیٹرڈ الیکٹران (BEI) اعلی توانائی والے الیکٹرانوں کا حوالہ دیتے ہیں جو نمونے کی سطح سے دوبارہ فرار ہونے کے بعد واقعہ الیکٹران نمونے کے ساتھ تعامل کرتے ہیں۔ ثانوی الیکٹرانوں کے مقابلے میں، پیچھے بکھرے ہوئے الیکٹران نمونے کے جوہری نمبر کے ساتھ مثبت طور پر منسلک ہوتے ہیں، اور جمع کرنے کی گہرائی زیادہ گہری ہوتی ہے، جو بنیادی طور پر نمونے کی بنیادی خصوصیات کو ظاہر کرنے کے لیے استعمال ہوتی ہے۔
علم کی کلاس
س: ناکامی کا تجزیہ کیا ہے؟
A: نام نہاد ناکامی کا تجزیہ ناکامی کے رجحان پر مبنی ہے، معلومات جمع کرنے، بصری معائنہ، اور برقی کارکردگی کی جانچ وغیرہ کے ذریعے، ناکامی کے مقام اور ممکنہ ناکامی کے موڈ کا تعین کرنے کے لیے، یعنی ناکامی کی جگہ؛
پھر، ناکامی کے موڈ کے مطابق، تجزیہ کے طریقوں کی ایک سیریز کو اپنایا جاتا ہے تاکہ وجہ کا تجزیہ اور بنیادی وجہ کی تصدیق کی جا سکے۔
آخر میں، تجزیہ کے عمل میں حاصل کردہ ٹیسٹ ڈیٹا کے مطابق، ایک تجزیہ رپورٹ تیار کی جاتی ہے اور بہتری کے لیے تجاویز پیش کی جاتی ہیں۔
عملی تجزیہ کی درخواست کے مقدمات
1. انٹرمیٹالک کمپاؤنڈ IMC کا مشاہدہ اور پیمائش
ویلڈنگ کو کنکشن کی مضبوطی کی ضروریات کو حاصل کرنے کے لیے مشترکہ سطح پر بنی ہوئی کھوٹ کی پرت یعنی IMC پرت پر انحصار کرنے کی ضرورت ہے۔ پھیلاؤ کے ذریعہ تشکیل پانے والے IMC میں مختلف قسم کی نشوونما ہوتی ہے، جو جنکشن کی جسمانی اور کیمیائی خصوصیات، خاص طور پر مکینیکل خصوصیات اور سنکنرن مزاحمت پر منفرد اثر ڈالتی ہے۔ مزید یہ کہ اگر IMC بہت موٹا یا بہت پتلا ہے تو یہ ویلڈنگ کی طاقت کو متاثر کرے گا۔
2. فاسفورس سے بھرپور پرت کا مشاہدہ اور پیمائش
کیمیکل نکل گولڈ (ENIG) کے ساتھ علاج کیے جانے والے پیڈز کے لیے، Ni کے ملاوٹ میں حصہ لینے کے بعد، فاسفورس سے بھرپور پرت بنانے کے لیے اضافی فاسفورس کو افزودہ اور مرکب پرت کے کنارے پر مرکوز کیا جائے گا۔ اگر فاسفورس سے بھرپور پرت کافی موٹی ہے تو، ٹانکا لگانے والے جوڑوں کی وشوسنییتا پر بہت زیادہ سمجھوتہ کیا جائے گا۔
3. دھاتی فریکچر کا تجزیہ
فریکچر کی شکل کے ذریعے، فریکچر کے کچھ بنیادی مسائل کا تجزیہ کیا جاتا ہے: جیسے کہ فریکچر کی اصل، فریکچر پراپرٹی، فریکچر موڈ، فریکچر میکانزم، فریکچر کی سختی، فریکچر کے عمل میں تناؤ کی حالت، اور شگاف کی ترقی کی شرح۔ فریکچر کا تجزیہ دھاتی اجزاء کی ناکامی کے تجزیہ کے لیے ایک اہم طریقہ بن گیا ہے۔
4. نکل سنکنرن (سیاہ پلیٹ) کے رجحان کا مشاہدہ
سنکنرن دراڑیں (مٹی کی دراڑیں) اور سونے کے اتارنے کے بعد نکل کی تہہ کی سطح کو فریکچر کی سطح سے دیکھا جاتا ہے، اور وہاں بڑی تعداد میں کالے دھبے اور دراڑیں ہیں، جو نکل سنکنرن ہے۔ نکل کی پرت کے حصے کی شکل کا مشاہدہ کرتے ہوئے، نکل کی مسلسل سنکنرن کا مشاہدہ کیا جا سکتا ہے، مزید اس بات کی تصدیق ہوتی ہے کہ ناقص ویلڈ ایبلٹی پلیٹ میں نکل سنکنرن کا رجحان ہے، اور نکل سنکنرن کی جگہ پر IMC کی نمو غیر معمولی ہے، جس کے نتیجے میں ویلڈ ایبلٹی خراب ہوتی ہے۔
