ڈی سی پاور شیلڈنگ میکانزم کیا ہے؟
DC پاور ٹرانسفارمر شیلڈنگ کا اصول ان میں سے، C5 ٹرانسفارمر کا بنیادی اور ثانوی سائیڈ کیپیسیٹر ہے، جو پرائمری سے ماپا جانے والے مداخلتی شور کو سیکنڈری میں منتقل کرتا ہے۔ نظریہ میں، Y capacitor (C4) کو شامل کرنا سب سے آسان ہے اور اس سے کوئی اضافی نقصان نہیں ہوتا ہے۔ تاہم، حفاظتی وجوہات کی بناء پر، رساو کرنٹ بہت بڑا نہیں ہے، اس لیے دوسرے طریقے تجویز کیے گئے ہیں۔
ڈی سی ٹرانسفارمر شیلڈنگ کا اصول یہ کنکشن کا طریقہ C1 کو دو حصوں میں تقسیم کرتا ہے، پرائمری سائیڈ ڈی سی پاور شیلڈ کے مساوی ہے، سیکنڈری سائیڈ شیلڈ ہے، اور دونوں اطراف کو گراؤنڈ کیا جانا چاہیے، ہاں، اسے دو کیپسیٹرز میں تقسیم کیا گیا ہے اور درمیان میں گراؤنڈ کیا گیا ہے۔ تاکہ ڈی سی پاور سپلائی کے پرائمری شور کو نظرانداز کیا جائے، پرائمری سیکنڈری سائیڈ پر میٹل پلیٹ شامل کرنے سے پرائمری سیکنڈری کپیسیٹر کو دو حصوں میں تقسیم کیا جاتا ہے۔ ڈی سی ٹرانسفارمر شیلڈنگ کا اصول یہ ہے کہ پرائمری شور کو دھاتی پلیٹ کے ذریعے گراؤنڈ کیا جا سکتا ہے۔
ڈی سی پاور ٹرانسفارمر شیلڈنگ ڈی سی ہائی فریکوئنسی ٹرانسفارمر انٹرنل شیلڈنگ اندرونی شیلڈنگ اور ایکسٹرنل شیلڈنگ کا اصول: پرائمری سائیڈ اور سیکنڈری سائیڈ کے درمیان وائنڈنگ یا کاپر فوائل شامل کریں اور ایک سرے کو پرائمری سائیڈ کے ورکنگ گراؤنڈ سے جوڑیں۔ بنیادی مقصد پرائمری سائیڈ پر کامن موڈ انٹرفیس سگنل کو شیلڈنگ لیئر کے ذریعے مداخلت کے منبع پر واپس کرنا ہے۔ اس شیلڈ کے بغیر، عام موڈ مداخلت کے سگنل ان کے درمیان انٹرلیئر کیپیسیٹینس کے ذریعے ثانوی طرف منتقل ہوتے ہیں، اور بنیادی اور ثانوی وائنڈنگز آخر کار آؤٹ پٹ EMI کے مسائل کا سبب بنیں گے۔
DC ہائی فریکوئنسی ٹرانسفارمر کی بیرونی شیلڈنگ: تانبے کے ورق کی ایک تہہ کو مقناطیسی کور اور ٹرانسفارمر کے بیرونی وائنڈنگ پر مضبوطی سے لگایا جاتا ہے۔ انڈکشن لوپ بنانے کے لیے تانبے کے ورق کی پرت کو بند کرنا ضروری ہے۔ ٹرانسفارمر کے لیکیج انڈکٹنس کور میں مقناطیسی میدان بند نہیں ہوتا بلکہ باہر کی طرف لیک ہوتا ہے۔ ہائی فریکوئنسی ایپلی کیشنز میں، مضبوط رساو مقناطیسی فیلڈز ان پٹ اور آؤٹ پٹ پورٹس کے بند لوپ میں وولٹیج کو آمادہ کر سکتے ہیں، جس کے نتیجے میں ناکافی وولٹیج، EMI ٹیسٹ کے نتائج، اگر کوئی بیرونی شیلڈنگ پرت ہے تو، برقی مقناطیسی انڈکشن کے اصول کے مطابق، شیلڈنگ اس پرت میں کرنٹ کو ایک مخالف مقناطیسی فیلڈ بنانے کے لیے آمادہ کیا جاتا ہے، اس طرح ٹرانسفارمر کے رساو مقناطیسی میدان کے اثر کو منسوخ کر دیتا ہے۔
